Sharp rendement cellules photovoltaïque de 35,8%
(Chauffe-eau solaire, Climatisation, Conditions générales de vente, Energies Renouvelables, Glossaire, Solutions professionnelles, équipements)
Mots-clés : cellule photovoltaïque, cellule solaire, concentrateur solaire, le germanium (Ge), le phosphure de gallium indium (InGaP), l’arséniure de gallium-indium (InGaAs), panneaux solaires, photovoltaïques, Sharp Corporation, triple jonction
La société japonaise, Sharp Corporation, a informé jeudi, le 22 octobre 2009, qu’elle a acquis un rendement de conversion de 35,8% en laboratoire pour une cellule photovoltaïque d’1 cm2. La cellule photovoltaïque utilise un procédé nommée de “triple jonction”. Le rendement de conversion de 35,8% de Sharp Corporation qui est occasionné par le procédé “triple jonction” représente un nouveau record mondial pour une cellule photovoltaïque au niveau laboratoire, sans utilisation d’un concentrateur solaire.
Les cellules photovoltaïques triples jonction sur lesquelles travaillait la société Sharp Corporation est constituée d’un assemblage de trois couches qui absorbent chacune des longueurs d’onde de lumière différentes à savoir le phosphure de gallium indium (InGaP) pour la couche supérieure, l’arséniure de gallium-indium (InGaAs) pour la couche médiane, et le germanium (Ge) pour la couche inférieure. En raison de leur haut rendement de conversion, ce type de cellule solaire photovoltaïque est spécialement utilisé dans les panneaux solaires photovoltaïques des satellites spatiaux.
Communément, le Germanium (Ge) est appliqué dans la couche inférieure de la cellule photovoltaïque, en raison de sa grande facilité de fabrication. Cependant, en termes de performance, bien que le Germanium (Ge) génère une grande quantité de courant, la majorité du courant est gaspillée,sans être utilisée efficacement pour l’énergie électrique photovoltaïque. L’astuce pour résoudre ce problème a donc été de remplacer le germanium (Ge) situé dans la couche basse par de l’arséniure de gallium indium (InGaAs), un matériel avec une grande efficacité d’utilisation de lumière.
Sharp Corporation a réussi à former une couche InGaAs avec cristallinité élevé en utilisant sa technologie exclusive pour former des couches. Toutefois, le montant du gaspillage actuel a été réduit au minimum, et le rendement de conversion, qui avait été de 31,5% dans les cellules photovoltaïques antérieures de Sharp Corporation, a été augmenté à 35,8%. Un taux de rendement de conversion de 45% serait même envisageable grâce à l’association d’un concentrateur solaire x 1000.
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